IXTT90P10P

IXTT90P10P Littelfuse Inc.


littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_90p10p_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 212 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1263.86 грн
30+750.46 грн
120+648.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTT90P10P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 462W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTT90P10P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTT90P10P IXTT90P10P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT90P10P IXTT90P10P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT90P10P IXTT90P10P Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_90p10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT90P10P IXTT90P10P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA05F2055B718BF&compId=IXT_90P10P.pdf?ci_sign=874a10be422ad2b256b9a661a7f0701651c5c108 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO268
Technology: PolarP™
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Gate charge: 0.12µC
Reverse recovery time: 144ns
On-state resistance: 25mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT90P10P IXTT90P10P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_90P10P_Datasheet.PDF MOSFETs -90.0 Amps -100V 0.250 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT90P10P IXTT90P10P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA05F2055B718BF&compId=IXT_90P10P.pdf?ci_sign=874a10be422ad2b256b9a661a7f0701651c5c108 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO268
Technology: PolarP™
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Gate charge: 0.12µC
Reverse recovery time: 144ns
On-state resistance: 25mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.