на замовлення 256 шт:
термін постачання 702-711 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 767.2 грн |
10+ | 647.99 грн |
30+ | 510.72 грн |
120+ | 469.33 грн |
270+ | 441.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT96N20P IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 96A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT96N20P
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IXTT96N20P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 96A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
||
IXTT96N20P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 96A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-268AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V |
товар відсутній |