Продукція > IXYS > IXTT96N20P
IXTT96N20P

IXTT96N20P IXYS


media-3323592.pdf Виробник: IXYS
MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds
на замовлення 256 шт:

термін постачання 702-711 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+767.2 грн
10+ 647.99 грн
30+ 510.72 грн
120+ 469.33 грн
270+ 441.96 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTT96N20P IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 96A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTT96N20P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTT96N20P IXTT96N20P Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_standard_ixt_96n20p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 96A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товар відсутній
IXTT96N20P IXTT96N20P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_96n20p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 96A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товар відсутній