Продукція > IXYS > IXTU01N100
IXTU01N100

IXTU01N100 IXYS

media-3322966.pdf Виробник: IXYS
MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.37 грн
10+ 174.71 грн
25+ 143.33 грн
70+ 122.85 грн
280+ 116.25 грн
560+ 109.64 грн
1050+ 93.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTU01N100 IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO251, Mounting: THT, Power dissipation: 25W, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Drain current: 0.1A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 1kV, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: tube, Case: TO251, On-state resistance: 80Ω, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTU01N100

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTU01N100 IXTU01N100 Виробник : IXYS IXTU(Y)01N100.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO251
Mounting: THT
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 0.1A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO251
On-state resistance: 80Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTU01N100 IXTU01N100 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_01n100_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO251
товар відсутній
IXTU01N100 IXTU01N100 Виробник : IXYS IXTU(Y)01N100.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO251
Mounting: THT
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 0.1A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO251
On-state resistance: 80Ω
товар відсутній