на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 175.09 грн |
| 10+ | 121.83 грн |
| 70+ | 87.55 грн |
| 280+ | 80.19 грн |
| 560+ | 72.69 грн |
| 5040+ | 57.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTU02N50D IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 200MA TO251, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 50mA, 0V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTU02N50D за ціною від 83.19 грн до 205.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTU02N50D | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 500V 200MA TO251Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 50mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTU02N50D | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 500V 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA |
товару немає в наявності |