IXTX102N65X2 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 102A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1541.48 грн |
| 30+ | 933.65 грн |
| 120+ | 841.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTX102N65X2 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 102A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTX102N65X2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTX102N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 102A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTX102N65X2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs PLUS247 650V 102A N-CH X2CLASS |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTX102N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; PLUS247™; 450ns Case: PLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 102A Reverse recovery time: 450ns Gate charge: 152nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 1.04kW |
товару немає в наявності |