Продукція > IXYS > IXTX120N65X2

IXTX120N65X2 IXYS

Name: IXTX120N65X2
Brand: IXYS
SKU: 4242664-4
Price: 1614.36 UAH
Availability: InStock

Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXT-120N65X2-Datasheet.PDF

Виробник: IXYS
MOSFETs PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS

на замовлення 231 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	1614.36 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXTX120N65X2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTX120N65X2

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXTX120N65X2	Виробник : Littelfuse	Trans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTX120N65X2	Виробник : Littelfuse	Trans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTX120N65X2	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 505ns Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 120A Gate charge: 230nC Reverse recovery time: 505ns On-state resistance: 23mΩ Power dissipation: 1.25kW кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTX120N65X2	Виробник : IXYS	Description: MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTX120N65X2	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 505ns Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 120A Gate charge: 230nC Reverse recovery time: 505ns On-state resistance: 23mΩ Power dissipation: 1.25kW	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.