
IXTX120P20T IXYS

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1753.13 грн |
2+ | 1540.08 грн |
3+ | 1539.30 грн |
10+ | 1480.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTX120P20T IXYS
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET, Case: PLUS247™, Mounting: THT, Technology: TrenchP™, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -200V, Drain current: -120A, Gate charge: 740nC, Reverse recovery time: 300ns, On-state resistance: 30mΩ, Gate-source voltage: ±15V, Power dissipation: 1.04kW, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTX120P20T за ціною від 1647.54 грн до 2201.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTX120P20T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PLUS247™ Mounting: THT Technology: TrenchP™ Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -120A Gate charge: 740nC Reverse recovery time: 300ns On-state resistance: 30mΩ Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 1.04kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTX120P20T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTX120P20T | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTX120P20T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |