IXTX120P20T IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2036.93 грн |
| 3+ | 1670.88 грн |
| 10+ | 1568.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTX120P20T IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTX120P20T за ціною від 1248.87 грн до 2125.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTX120P20T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V |
на замовлення 317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXTX120P20T | Виробник : IXYS |
MOSFETs TrenchP Power MOSFETs |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

