Продукція > IXYS > IXTX120P20T
IXTX120P20T

IXTX120P20T IXYS

IXT_120P20T.pdf Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 740nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1652.77 грн
2+ 1450.99 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTX120P20T IXYS

Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchP™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -200V, Drain current: -120A, Power dissipation: 1.04kW, Case: PLUS247™, Gate-source voltage: ±15V, On-state resistance: 30mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 740nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 300ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTX120P20T за ціною від 1494.56 грн до 2168.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTX120P20T IXTX120P20T Виробник : IXYS IXT_120P20T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 740nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1983.32 грн
2+ 1808.16 грн
30+ 1673.93 грн
IXTX120P20T IXTX120P20T Виробник : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e&filename=littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1996.85 грн
30+ 1594.2 грн
120+ 1494.56 грн
IXTX120P20T IXTX120P20T Виробник : IXYS media-3320951.pdf MOSFET TrenchP Power MOSFETs
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2168.36 грн
10+ 1899.81 грн
30+ 1540.41 грн
60+ 1501.89 грн
IXTX120P20T IXTX120P20T Виробник : Littelfuse use_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товар відсутній