Продукція > IXYS > IXTX120P20T
IXTX120P20T

IXTX120P20T IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EA563468D18BF&compId=IXT_120P20T.pdf?ci_sign=b303308099e4550f537d8d87d7d46f104218dd25 Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1738.83 грн
2+1526.83 грн
10+1468.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTX120P20T IXYS

Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W, Mounting: THT, Case: PLUS247™, Reverse recovery time: 300ns, Drain-source voltage: -200V, Drain current: -120A, On-state resistance: 30mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 1.04kW, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 740nC, Technology: TrenchP™, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±15V, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTX120P20T за ціною від 1632.53 грн до 2181.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTX120P20T IXTX120P20T Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EA563468D18BF&compId=IXT_120P20T.pdf?ci_sign=b303308099e4550f537d8d87d7d46f104218dd25 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2086.60 грн
2+1902.66 грн
10+1762.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120P20T IXTX120P20T Виробник : IXYS media-3320951.pdf MOSFETs TrenchP Power MOSFETs
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2138.21 грн
10+2065.63 грн
30+1643.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120P20T IXTX120P20T Виробник : Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e&filename=littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2181.85 грн
30+1741.36 грн
120+1632.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120P20T IXTX120P20T Виробник : Littelfuse use_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.