Продукція > IXYS > IXTX170P10P
IXTX170P10P

IXTX170P10P IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_170p10p_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1534.17 грн
30+1224.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTX170P10P IXYS

Description: MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTX170P10P за ціною від 1270.00 грн до 1673.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTX170P10P IXTX170P10P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_170P10P_Datasheet.PDF MOSFETs -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1673.96 грн
10+1270.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX170P10P IXTX170P10P Виробник : Littelfuse use_discrete_mosfets_p-channel_ixt_170p10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX170P10P IXTX170P10P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA046B882FB78BF&compId=IXTX170P10P.pdf?ci_sign=94cd33348f2095bd4b19ade6fc8944ee1e626f80 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; 176ns
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -170A
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 176ns
On-state resistance: 14mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
Case: PLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX170P10P IXTX170P10P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA046B882FB78BF&compId=IXTX170P10P.pdf?ci_sign=94cd33348f2095bd4b19ade6fc8944ee1e626f80 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; 176ns
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -170A
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 176ns
On-state resistance: 14mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
Case: PLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.