Продукція > LITTELFUSE > IXTX200N10L2
IXTX200N10L2

IXTX200N10L2 Littelfuse

media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1987.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTX200N10L2 Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTX200N10L2 за ціною від 1877.14 грн до 2717.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTX200N10L2 IXTX200N10L2 Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Linear-IXT-200N10-Datasheet.PDF MOSFETs L2 Linear Power MOSFET
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2448.06 грн
10+2085.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX200N10L2 IXTX200N10L2 Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007909204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTX200N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 200A, PLUS247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
directShipCharge: 25
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2717.88 грн
5+2484.63 грн
10+2253.08 грн
25+1877.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX200N10L2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_200n10_datasheet.pdf.pdf IXTX200N10L2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX200N10L2 IXTX200N10L2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_200n10_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.