на замовлення 3589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2527.47 грн |
| 10+ | 2410.75 грн |
| 30+ | 1837.94 грн |
| 60+ | 1804.56 грн |
| 120+ | 1753.15 грн |
| 270+ | 1711.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTX200N10L2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTX200N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 200A, PLUS247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: PLUS247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: LinearL2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXTX200N10L2 за ціною від 1891.14 грн до 2660.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTX200N10L2 | Виробник : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXTX200N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 200A, PLUS247tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.04kW Bauform - Transistor: PLUS247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: LinearL2 Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTX200N10L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXTX200N10L2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 1040W; PLUS247™; 245ns Case: PLUS247™ Mounting: THT On-state resistance: 11mΩ Kind of package: tube Power dissipation: 1.04kW Drain current: 200A Features of semiconductor devices: linear power mosfet Gate charge: 540nC Drain-source voltage: 100V Reverse recovery time: 245ns Kind of channel: enhanced Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
.jpg "IXTX200N10L2") |
IXTX200N10L2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IXTX200N10L2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 1040W; PLUS247™; 245ns Case: PLUS247™ Mounting: THT On-state resistance: 11mΩ Kind of package: tube Power dissipation: 1.04kW Drain current: 200A Features of semiconductor devices: linear power mosfet Gate charge: 540nC Drain-source voltage: 100V Reverse recovery time: 245ns Kind of channel: enhanced Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
товар відсутній |