Продукція > IXYS > IXTX20N150

IXTX20N150 IXYS

Name: IXTX20N150
Brand: IXYS
SKU: 135181-4
Price: 2304.40 UAH
Availability: InStock

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_20N150_Datasheet.PDF

Виробник: IXYS
MOSFETs 1500 V High Voltage Power MOSFET

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	2304.40 грн
10+	1724.15 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXTX20N150 IXYS

Description: MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTX20N150

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXTX20N150	Виробник : Littelfuse	Trans MOSFET N-CH 1.5KV 20A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTX20N150	Виробник : IXYS	Description: MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTX20N150	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 20A; 1250W; PLUS247™; 1.1us Case: PLUS247™ Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: standard power mosfet Polarisation: unipolar Gate charge: 215nC Reverse recovery time: 1.1µs On-state resistance: 1Ω Drain current: 20A Power dissipation: 1.25kW Drain-source voltage: 1.5kV Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.