IXTX210P10T IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTX210P10T IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 105A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTX210P10T за ціною від 1257.44 грн до 2209.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTX210P10T | Виробник : IXYS |
MOSFETs P-Channel: Standard MOSFET |
на замовлення 139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXTX210P10T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 105A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69500 pF @ 25 V |
на замовлення 797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

