IXTX210P10T IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1856.89 грн |
| 2+ | 1630.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTX210P10T IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 105A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTX210P10T за ціною від 1364.26 грн до 2470.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTX210P10T | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W Case: PLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: -100V Drain current: -210A On-state resistance: 7.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Gate charge: 740nC Technology: TrenchP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±15V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTX210P10T | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 105A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69500 pF @ 25 V |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTX210P10T | Виробник : IXYS |
MOSFETs P-Channel: Standard MOSFET |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTX210P10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товару немає в наявності |