на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2114.71 грн |
| 10+ | 1592.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTX210P10T IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 105A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTX210P10T за ціною від 1331.72 грн до 2259.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTX210P10T | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 105A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69500 pF @ 25 V |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| IXTX210P10T | Виробник : IXYS | IXTX210P10T THT P channel transistors |
на замовлення 15 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
IXTX210P10T | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товару немає в наявності |