IXTX210P10T IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Reverse recovery time: 200ns
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Reverse recovery time: 200ns
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1639.74 грн |
2+ | 1439.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTX210P10T IXYS
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W, Technology: TrenchP™, Mounting: THT, Reverse recovery time: 200ns, Case: PLUS247™, Kind of package: tube, Power dissipation: 1.04kW, Drain-source voltage: -100V, Drain current: -210A, On-state resistance: 7.5mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 740nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±15V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTX210P10T за ціною від 1437.27 грн до 2156.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTX210P10T | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W Technology: TrenchP™ Mounting: THT Reverse recovery time: 200ns Case: PLUS247™ Kind of package: tube Power dissipation: 1.04kW Drain-source voltage: -100V Drain current: -210A On-state resistance: 7.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 740nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±15V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTX210P10T | Виробник : IXYS | MOSFET P-Channel: Standard MOSFET |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTX210P10T | Виробник : IXYS | Description: MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247-3 |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTX210P10T | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товар відсутній |