.jpg "IXTX22N100L")
IXTX22N100L IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050 pF @ 25 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3020.06 грн |
| 10+ | 2713.77 грн |
| 100+ | 2356.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTX22N100L IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 11A, 20V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTX22N100L за ціною від 2811.9 грн до 3200.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTX22N100L | Виробник : IXYS |
MOSFET LINEAR PWR MOSFET N-CHAN 1000V 22A |
на замовлення 29 шт: термін постачання 392-401 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXTX22N100L | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 22A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товар відсутній |
|||||||
 |
IXTX22N100L | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; PLUS247™; 1us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 22A Power dissipation: 700W Case: PLUS247™ On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 1µs кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IXTX22N100L | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; PLUS247™; 1us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 22A Power dissipation: 700W Case: PLUS247™ On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 1µs |
товар відсутній |