Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTX32P60P
IXTX32P60P

IXTX32P60P Littelfuse Inc.

media?resourcetype=datasheets&itemid=4E3CC1EB-28DE-4BB7-B025-3DB667A4A4E2&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P60P-Datasheet.PDF
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1545.62 грн
30+1125.17 грн
120+984.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTX32P60P Littelfuse Inc.

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTX32P60P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 32 A, 0.35 ohm, PLUS247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: PLUS247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXTX32P60P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTX32P60P IXTX32P60P IXYS media-3320739.pdf MOSFETs -32 Amps -600V 0.350 Rds
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX32P60P IXTX32P60P IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007925213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTX32P60P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 32 A, 0.35 ohm, PLUS247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX32P60P media-3320739.pdf
IXTX32P60P
Виробник: IXYS
MOSFETs -32 Amps -600V 0.350 Rds
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX32P60P LFSI-S-A0007925213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTX32P60P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTX32P60P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 32 A, 0.35 ohm, PLUS247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.