Продукція > IXYS > IXTX60N50L2
IXTX60N50L2

IXTX60N50L2 IXYS


DS100087AIXTKTX60N50L2.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
на замовлення 1794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2610.03 грн
30+1663.53 грн
120+1657.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTX60N50L2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTX60N50L2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTX60N50L2 IXTX60N50L2 Виробник : Littelfuse iscrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_60n50_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX60N50L2 IXTX60N50L2 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_60N50_Datasheet.PDF MOSFETs 60 Amps 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.