Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTX6N200P3HV
IXTX6N200P3HV

IXTX6N200P3HV Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtx6n200p3hv_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 2000V 6A TO247PLUSHV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4706.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTX6N200P3HV Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 2000V 6A TO247PLUSHV, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3 Variant, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXTX6N200P3HV за ціною від 3623.77 грн до 5028.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTX6N200P3HV IXTX6N200P3HV Виробник : IXYS media-3322034.pdf MOSFETs PLUS247 2KV 6A N-CH HIVOLT
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5028.49 грн
10+4492.02 грн
30+3771.89 грн
60+3635.59 грн
120+3623.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX6N200P3HV Виробник : IXYS IXTX6N200P3HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 2kV; 6A; 960W; 520ns
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar3™
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Mounting: THT
Case: TO247PLUS-HV
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 143nC
Reverse recovery time: 520ns
On-state resistance: 4Ω
Drain current: 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.