IXTX8N150L IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 3.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 1.7µs
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 3.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 1.7µs
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2216.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTX8N150L IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 4A, 20V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 8V @ 250µA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTX8N150L за ціною від 1942.95 грн до 2935.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTX8N150L | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 8A On-state resistance: 3.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 700W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: linear power mosfet Gate charge: 250nC Kind of channel: enhanced Mounting: THT Case: PLUS247™ Reverse recovery time: 1.7µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTX8N150L | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 4A, 20V Power Dissipation (Max): 700W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 8V @ 250µA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTX8N150L | Виробник : IXYS | MOSFET Standard Linear Power MOSFET |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|