IXTX90N25L2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2610.03 грн |
| 30+ | 1663.53 грн |
| 120+ | 1657.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTX90N25L2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTX90N25L2 за ціною від 1919.86 грн до 2947.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTX90N25L2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs 90 Amps 250V |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTX90N25L2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; PLUS247™; 266ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 90A Power dissipation: 960W Case: PLUS247™ On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 640nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 266ns Features of semiconductor devices: linear power mosfet |
товару немає в наявності |