IXTX90P20P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: PLUS247™
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1162.71 грн |
| 5+ | 1001.51 грн |
| 10+ | 971.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTX90P20P IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTX90P20P за ціною від 901.08 грн до 1632.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTX90P20P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns Drain-source voltage: -200V Drain current: -90A Reverse recovery time: 315ns Gate charge: 205nC On-state resistance: 44mΩ Power dissipation: 890W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Case: PLUS247™ Type of transistor: P-MOSFET Mounting: THT Technology: PolarP™ Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 138 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXTX90P20P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V |
на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXTX90P20P | Виробник : IXYS |
MOSFETs -90.0 Amps -200V 0.044 Rds |
на замовлення 196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXTX90P20P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товару немає в наявності |

