
IXTX90P20P IXYS

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1121.29 грн |
3+ | 984.47 грн |
30+ | 974.37 грн |
120+ | 946.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTX90P20P IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTX90P20P за ціною від 930.93 грн до 1345.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTX90P20P | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTX90P20P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTX90P20P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns Power dissipation: 890W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 205nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PLUS247™ Reverse recovery time: 315ns Drain-source voltage: -200V Drain current: -90A On-state resistance: 44mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 138 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTX90P20P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |