IXTY01N100 IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
On-state resistance: 80Ω
Drain current: 0.1A
Drain-source voltage: 1kV
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 141.95 грн |
| 5+ | 116.45 грн |
| 25+ | 105.13 грн |
| 70+ | 102.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY01N100 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTY01N100 за ціною від 75.63 грн до 257.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY01N100 | Виробник : IXYS |
MOSFETs 0.1 Amps 1000V 80 Rds |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTY01N100 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 25 V |
на замовлення 14088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|