IXTY01N100 IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO252
On-state resistance: 80Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 144.23 грн |
| 5+ | 118.31 грн |
| 25+ | 106.81 грн |
| 70+ | 104.35 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY01N100 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTY01N100 за ціною від 59.49 грн до 294.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY01N100 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 25 V |
на замовлення 4496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTY01N100 | IXYS |
MOSFETs 0.1 Amps 1000V 80 Rds |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTY01N100 | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA |
на замовлення 1981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXTY01N100 | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IXTY01N100 |
|
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 25 V
на замовлення 4496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 294.11 грн |
| 10+ | 185.68 грн |
| 70+ | 137.03 грн |
| 140+ | 116.97 грн |
| 560+ | 98.97 грн |
| IXTY01N100 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 0.1 Amps 1000V 80 Rds
MOSFETs 0.1 Amps 1000V 80 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IXTY01N100 |
|
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 88.40 грн |
| 10+ | 86.32 грн |
| 25+ | 85.62 грн |
| 50+ | 78.60 грн |
| 100+ | 72.24 грн |
| 500+ | 59.49 грн |
| IXTY01N100 |
|
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 184.99 грн |
| 10+ | 174.15 грн |
| 25+ | 170.69 грн |
| 50+ | 146.53 грн |