на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 153.63 грн |
| 10+ | 122.67 грн |
| 70+ | 88.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY01N100 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTY01N100 за ціною від 79.12 грн до 215.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY01N100 | Виробник : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AAPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 25 V |
на замовлення 15320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IXTY01N100 | Виробник : IXYS |
IXTY01N100 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |