IXTY01N100D-TRL LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY01N100D-TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 80 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 196.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY01N100D-TRL LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTY01N100D-TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 80 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTY01N100D-TRL за ціною від 136.84 грн до 399.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTY01N100D-TRL | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTY01N100D-TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 80 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTY01N100D-TRL | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTY01N100D-TRL | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules IXTY01N100D TRL |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTY01N100D-TRL | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXTY01N100D-TRL | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXTY01N100D TRL | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXTY01N100D-TRL | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |