на замовлення 12955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 350+ | 161.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY01N100D Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY01N100D - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 50 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm.
Інші пропозиції IXTY01N100D за ціною від 144.06 грн до 363.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY01N100D | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 12950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTY01N100D | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 12950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTY01N100D | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY01N100D - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 50 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm |
на замовлення 233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTY01N100D | Виробник : IXYS |
MOSFETs MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25 |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTY01N100D | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IXTY01N100D | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
IXTY01N100D | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |