Продукція > LITTELFUSE > IXTY01N100D
IXTY01N100D

IXTY01N100D Littelfuse

media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 12950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
350+223.03 грн
560+194.00 грн
1050+184.06 грн
2030+172.59 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY01N100D Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY01N100D - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 50 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm.

Інші пропозиції IXTY01N100D за ціною від 122.99 грн до 385.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTY01N100D IXTY01N100D Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 12950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+224.31 грн
560+195.12 грн
1050+185.11 грн
2030+173.57 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D IXTY01N100D IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=90f68c0c-66ed-4288-bfb0-3c2769323c27 Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 9952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.82 грн
70+186.00 грн
140+170.26 грн
560+136.91 грн
1050+128.88 грн
2030+122.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D IXTY01N100D IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-depletion-mode-ixt-01n100d-datasheet.pdf MOSFETs MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D IXTY01N100D IXYS SEMICONDUCTOR 2944666.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY01N100D - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 50 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D media.pdf
IXTY01N100D
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 12950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
70+224.31 грн
560+195.12 грн
1050+185.11 грн
2030+173.57 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=90f68c0c-66ed-4288-bfb0-3c2769323c27
IXTY01N100D
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 9952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+385.82 грн
70+186.00 грн
140+170.26 грн
560+136.91 грн
1050+128.88 грн
2030+122.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-depletion-mode-ixt-01n100d-datasheet.pdf
IXTY01N100D
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D 2944666.pdf
IXTY01N100D
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY01N100D - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 50 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.