на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 84.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY02N120P-TRL Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTY02N120P-TRL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTY02N120P-TRL | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
||
 |
IXTY02N120P-TRL | Виробник : IXYS |
 Discrete Semiconductor Modules IXTY02N120P TRL |
товару немає в наявності |