IXTY02N50D IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 200MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 50mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 157.36 грн |
| 70+ | 121.71 грн |
| 140+ | 100.14 грн |
| 560+ | 79.52 грн |
| 1050+ | 67.47 грн |
| 2030+ | 64.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY02N50D IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 200MA TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 50mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc), Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTY02N50D за ціною від 66.09 грн до 172.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY02N50D | Виробник : IXYS |
MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds |
на замовлення 6439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IXTY02N50D | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 200mA; Idm: 800mA; 25W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 25W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30Ω Mounting: SMD Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 1µs кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IXTY02N50D | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 200mA; Idm: 800mA; 25W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 25W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30Ω Mounting: SMD Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 1µs |
товар відсутній |