на замовлення 4628 шт:
термін постачання 423-432 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 274.17 грн |
| 10+ | 234.93 грн |
| 25+ | 188.93 грн |
| 70+ | 160.89 грн |
| 280+ | 152.22 грн |
| 560+ | 144.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY08N100D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTY08N100D2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY08N100D2 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
|
 |
IXTY08N100D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Kind of package: tube Power dissipation: 60W Polarisation: unipolar Gate charge: 325nC Kind of channel: depleted Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.8A On-state resistance: 21Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXTY08N100D2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXTY08N100D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Kind of package: tube Power dissipation: 60W Polarisation: unipolar Gate charge: 325nC Kind of channel: depleted Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.8A On-state resistance: 21Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |