Продукція > IXYS CORPORATION > IXTY08N100D2
IXTY08N100D2

IXTY08N100D2 Ixys Corporation

media.pdf
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+385.38 грн
42+344.18 грн
70+308.30 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 37 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY08N100D2 Ixys Corporation

Description: LITTELFUSE - IXTY08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXTY08N100D2 за ціною від 144.67 грн до 453.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTY08N100D2 IXTY08N100D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100-datasheet?assetguid=5f3f8653-b9a5-4c21-928a-8f26a664dbdc Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.03 грн
10+261.89 грн
70+196.54 грн
140+168.84 грн
560+144.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 IXTY08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+415.05 грн
5+194.77 грн
14+184.04 грн
70+181.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 IXTY08N100D2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_08N100_Datasheet.PDF MOSFETs 8mAmps 1000V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+453.06 грн
10+243.90 грн
70+173.32 грн
560+163.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 IXTY08N100D2 LITTELFUSE LFSI-S-A0007909279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTY08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100-datasheet?assetguid=5f3f8653-b9a5-4c21-928a-8f26a664dbdc
IXTY08N100D2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+408.03 грн
10+261.89 грн
70+196.54 грн
140+168.84 грн
560+144.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTY08N100D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+415.05 грн
5+194.77 грн
14+184.04 грн
70+181.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_08N100_Datasheet.PDF
IXTY08N100D2
Виробник: IXYS
MOSFETs 8mAmps 1000V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+453.06 грн
10+243.90 грн
70+173.32 грн
560+163.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 LFSI-S-A0007909279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTY08N100D2
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTY08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.