Продукція > IXYS > IXTY08N100D2
IXTY08N100D2

IXTY08N100D2 IXYS

IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 21Ω
Power dissipation: 60W
Gate charge: 325nC
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.41 грн
5+207.68 грн
6+165.53 грн
16+157.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY08N100D2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTY08N100D2 за ціною від 166.26 грн до 336.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTY08N100D2 IXTY08N100D2 Виробник : IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 21Ω
Power dissipation: 60W
Gate charge: 325nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+298.09 грн
5+258.80 грн
6+198.63 грн
16+188.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 IXTY08N100D2 Виробник : IXYS media-3320804.pdf MOSFETs 8mAmps 1000V
на замовлення 4678 шт:
термін постачання 628-637 дні (днів)
Кількість Ціна
2+336.45 грн
25+201.36 грн
70+166.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 IXTY08N100D2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 IXTY08N100D2 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_08n100_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.