Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY08N100P-TRL IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 42W; DPAK,TO252AA; 750ns, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: 20V, Case: DPAK; TO252AA, On-state resistance: 20Ω, Reverse recovery time: 750ns, Power dissipation: 42W, Gate charge: 11.3nC, Drain current: 0.8A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1kV.
Інші пропозиції IXTY08N100P-TRL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXTY08N100P-TRL | IXYS |
MOSFET Modules IXTY08N100P TRL |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
|
IXTY08N100P-TRL | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 42W; DPAK,TO252AA; 750ns Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: 20V Case: DPAK; TO252AA On-state resistance: 20Ω Reverse recovery time: 750ns Power dissipation: 42W Gate charge: 11.3nC Drain current: 0.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1kV |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXTY08N100P-TRL |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFET Modules IXTY08N100P TRL
MOSFET Modules IXTY08N100P TRL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXTY08N100P-TRL |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 42W; DPAK,TO252AA; 750ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 20Ω
Reverse recovery time: 750ns
Power dissipation: 42W
Gate charge: 11.3nC
Drain current: 0.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 42W; DPAK,TO252AA; 750ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 20Ω
Reverse recovery time: 750ns
Power dissipation: 42W
Gate charge: 11.3nC
Drain current: 0.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.





