Продукція > IXYS > IXTY08N100P-TRL
IXTY08N100P-TRL

IXTY08N100P-TRL IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100p-datasheet?assetguid=c03e6d51-d539-4f4a-ad31-08df60c8fd6a
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY08N100P-TRL IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 42W; DPAK,TO252AA; 750ns, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 0.8A, Power dissipation: 42W, Case: DPAK; TO252AA, On-state resistance: 20Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 11.3nC, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 750ns, Gate-source voltage: 20V.

Інші пропозиції IXTY08N100P-TRL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTY08N100P-TRL IXTY08N100P-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_08N100P_Datasheet.PDF MOSFET Modules IXTY08N100P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100P-TRL IXTY08N100P-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100p-datasheet?assetguid=c03e6d51-d539-4f4a-ad31-08df60c8fd6a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 42W; DPAK,TO252AA; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 750ns
Gate-source voltage: 20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100P-TRL Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_08N100P_Datasheet.PDF
IXTY08N100P-TRL
Виробник: IXYS
MOSFET Modules IXTY08N100P TRL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100P-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100p-datasheet?assetguid=c03e6d51-d539-4f4a-ad31-08df60c8fd6a
IXTY08N100P-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 42W; DPAK,TO252AA; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 750ns
Gate-source voltage: 20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.