Продукція > IXYS > IXTY08N50D2
IXTY08N50D2

IXTY08N50D2 IXYS

Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-08N50-Datasheet.PDF?assetguid=A427D242-A59C-4809-AE1D-1E1F10E2A329
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+296.67 грн
70+138.72 грн
140+126.27 грн
560+100.38 грн
1050+94.03 грн
2030+88.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY08N50D2 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTY08N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 800 mA, 4.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXTY08N50D2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTY08N50D2 IXTY08N50D2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_08N50_Datasheet.PDF MOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA
на замовлення 21506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2 IXTY08N50D2 LITTELFUSE LFSI-S-A0007909383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTY08N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 800 mA, 4.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_08N50_Datasheet.PDF
IXTY08N50D2
Виробник: IXYS
MOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA
на замовлення 21506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2 LFSI-S-A0007909383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTY08N50D2
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTY08N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 800 mA, 4.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.