IXTY08N50D2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 180.43 грн |
| 70+ | 93.80 грн |
| 140+ | 92.08 грн |
| 560+ | 85.92 грн |
| 1050+ | 79.59 грн |
| 2030+ | 76.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY08N50D2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTY08N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 800 mA, 4.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTY08N50D2 за ціною від 107.11 грн до 230.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY08N50D2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA |
на замовлення 22100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTY08N50D2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTY08N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 800 mA, 4.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTY08N50D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXTY08N50D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO252; 11ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO252 On-state resistance: 4.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 312nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 11ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXTY08N50D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO252; 11ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO252 On-state resistance: 4.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 312nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 11ns |
товару немає в наявності |