Продукція > LITTELFUSE > IXTY08N50D2
IXTY08N50D2

IXTY08N50D2 LITTELFUSE

LFSI-S-A0007909383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTY08N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 800 mA, 4.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.80 грн
10+163.28 грн
100+143.62 грн
500+114.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY08N50D2 LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXTY08N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 800 mA, 4.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXTY08N50D2 за ціною від 77.60 грн до 261.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTY08N50D2 IXTY08N50D2 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_08N50_Datasheet.PDF MOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA
на замовлення 21960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.04 грн
10+109.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2 IXTY08N50D2 Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-08N50-Datasheet.PDF?assetguid=A427D242-A59C-4809-AE1D-1E1F10E2A329 Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.32 грн
70+121.13 грн
140+110.02 грн
560+87.12 грн
1050+81.45 грн
2030+77.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2 IXTY08N50D2 Виробник : Littelfuse mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_08n50_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2 IXTY08N50D2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389DDEB1D445820&compId=IXTA(P%2CY)08N50D2.pdf?ci_sign=d92cfc0f9209a370f1a625c4b843304b6b0d742c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.