Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY14N60X2-TRL Littelfuse
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; 600V; 14A; 180W; TO252/DPAK; 320ns, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: X2-Class, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 14A, Power dissipation: 180W, Case: TO252/DPAK, Gate-source voltage: 30V, On-state resistance: 0.25Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 320ns, Gate charge: 16.7nC.
Інші пропозиції IXTY14N60X2-TRL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTY14N60X2-TRL | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; 600V; 14A; 180W; TO252/DPAK; 320ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 180W Case: TO252/DPAK Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 320ns Gate charge: 16.7nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXTY14N60X2-TRL |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; 600V; 14A; 180W; TO252/DPAK; 320ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: TO252/DPAK
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 320ns
Gate charge: 16.7nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; 600V; 14A; 180W; TO252/DPAK; 320ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: TO252/DPAK
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 320ns
Gate charge: 16.7nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.