Продукція > IXYS > IXTY14N60X2
IXTY14N60X2

IXTY14N60X2 IXYS

ixty2n65x2.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+350.98 грн
10+251.41 грн
25+220.94 грн
70+216.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY14N60X2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTY14N60X2 за ціною від 141.07 грн до 401.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTY14N60X2 IXTY14N60X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_ultra_junction_ixty14n60x2_datasheet.pdf MOSFETs TO252 600V 14A N-CH X2CLASS
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+380.70 грн
10+356.66 грн
70+191.29 грн
560+146.98 грн
1050+146.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2 IXTY14N60X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.12 грн
70+195.05 грн
140+178.86 грн
560+144.34 грн
1050+141.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2 littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_ultra_junction_ixty14n60x2_datasheet.pdf
IXTY14N60X2
Виробник: IXYS
MOSFETs TO252 600V 14A N-CH X2CLASS
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+380.70 грн
10+356.66 грн
70+191.29 грн
560+146.98 грн
1050+146.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2 ixty2n65x2.pdf
IXTY14N60X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+401.12 грн
70+195.05 грн
140+178.86 грн
560+144.34 грн
1050+141.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.