IXTY15P15T Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 150V 15A TO252
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 287.90 грн |
| 70+ | 219.64 грн |
| 140+ | 188.26 грн |
| 560+ | 157.04 грн |
| 1050+ | 134.47 грн |
| 2030+ | 126.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY15P15T Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 150V 15A TO252, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±15V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 150W (Tc).
Інші пропозиції IXTY15P15T за ціною від 157.16 грн до 301.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTY15P15T | Виробник : IXYS |
MOSFET TrenchP Power MOSFET |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTY15P15T | Виробник : IXYS |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; TO252 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Power dissipation: 150W Case: TO252 Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -15A Gate-source voltage: ±15V Reverse recovery time: 116ns On-state resistance: 0.24Ω |
товару немає в наявності |

