Продукція > IXYS > IXTY18P10T
IXTY18P10T

IXTY18P10T IXYS

IXT_18P10T.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Gate-source voltage: ±15V
Reverse recovery time: 62ns
On-state resistance: 0.12Ω
на замовлення 344 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+317.96 грн
10+167.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY18P10T IXYS

Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTY18P10T за ціною від 110.78 грн до 336.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTY18P10T IXTY18P10T Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-18P10T-Datasheet.PDF MOSFETs -100V -18A
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+333.46 грн
10+321.46 грн
70+130.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY18P10T IXTY18P10T Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-18p10t-datasheet?assetguid=5c1b0780-b7a9-4cdb-8b92-3cdd987c0682 Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.48 грн
70+160.28 грн
140+146.44 грн
560+117.32 грн
1050+110.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.