IXTY18P10T IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Gate-source voltage: ±15V
Reverse recovery time: 62ns
On-state resistance: 0.12Ω
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 319.98 грн |
| 10+ | 168.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY18P10T IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO252, Vgs (Max): ±15V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V.
Інші пропозиції IXTY18P10T за ціною від 111.49 грн до 338.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY18P10T | IXYS |
MOSFETs -100V -18A |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTY18P10T | IXYS |
Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO252 Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V |
на замовлення 2581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IXTY18P10T |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs -100V -18A
MOSFETs -100V -18A
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 335.57 грн |
| 10+ | 323.50 грн |
| 70+ | 131.51 грн |
| IXTY18P10T |
|
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO252
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO252
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 338.62 грн |
| 70+ | 161.30 грн |
| 140+ | 147.37 грн |
| 560+ | 118.06 грн |
| 1050+ | 111.49 грн |