
IXTY1N120P IXYS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Case: TO252
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 171.96 грн |
5+ | 143.40 грн |
7+ | 132.55 грн |
19+ | 124.80 грн |
70+ | 120.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY1N120P IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns, Case: TO252, Reverse recovery time: 900ns, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 1A, On-state resistance: 20Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 63W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTY1N120P за ціною від 144.18 грн до 206.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTY1N120P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns Case: TO252 Reverse recovery time: 900ns Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 1A On-state resistance: 20Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 63W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 102 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTY1N120P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IXTY1N120P | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Supplier Device Package: TO-252AA Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V |
товару немає в наявності |