IXTY1N120P IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
Reverse recovery time: 900ns
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 63W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 184.35 грн |
| 5+ | 153.73 грн |
| 25+ | 135.45 грн |
| 70+ | 127.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY1N120P IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Case: TO252, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 1A, Reverse recovery time: 900ns, On-state resistance: 20Ω, Power dissipation: 63W.
Інші пропозиції IXTY1N120P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY1N120P | Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Supplier Device Package: TO-252AA Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 350 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXTY1N120P |
|
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику
од. на суму грн.