IXTY1N120P IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
Reverse recovery time: 900ns
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 63W
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 183.18 грн |
| 5+ | 152.76 грн |
| 25+ | 134.59 грн |
| 70+ | 127.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY1N120P IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: TO252, Mounting: SMD, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 1A, Reverse recovery time: 900ns, On-state resistance: 20Ω, Power dissipation: 63W.
Інші пропозиції IXTY1N120P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY1N120P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Supplier Device Package: TO-252AA Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V |
товару немає в наявності |