на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 386.75 грн |
| 10+ | 222.60 грн |
| 70+ | 177.56 грн |
| 560+ | 174.51 грн |
| 1050+ | 161.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY1R4N120P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V.
Інші пропозиції IXTY1R4N120P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY1R4N120P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTY1R4N120P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V |
товару немає в наявності |