Продукція > IXYS > IXTY1R4N120P

IXTY1R4N120P IXYS

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_1R4N120P_Datasheet.PDF

Виробник: IXYS
MOSFETs 1.4 Amps 1200V 15 Rds

на замовлення 1191 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXTY1R4N120P IXYS

Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V.

Інші пропозиції IXTY1R4N120P

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	IXTY1R4N120P	IXYS	Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

IXTY1R4N120P

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n120p_datasheet.pdf.pdf

Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.