Продукція > IXYS > IXTY1R4N120PHV
IXTY1R4N120PHV

IXTY1R4N120PHV IXYS

ixys_s_a0008595723_1-2273166.pdf Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH STD-POLAR
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+288.97 грн
10+ 239.54 грн
25+ 196.28 грн
100+ 168.24 грн
250+ 158.89 грн
500+ 149.55 грн
1000+ 140.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY1R4N120PHV IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 1.4A; Idm: 3A; 86W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Polar™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 1.4A, Pulsed drain current: 3A, Power dissipation: 86W, Case: TO252HV, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 13Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 24.8nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Reverse recovery time: 900ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTY1R4N120PHV

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTY1R4N120PHV IXTY1R4N120PHV Виробник : IXYS IXTA(P,Y)1R4N120P_HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 1.4A; Idm: 3A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 86W
Case: TO252HV
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTY1R4N120PHV IXTY1R4N120PHV Виробник : IXYS DS99871E(IXTY-TA-TP1R4N120P-HV).pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
товар відсутній
IXTY1R4N120PHV IXTY1R4N120PHV Виробник : IXYS IXTA(P,Y)1R4N120P_HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 1.4A; Idm: 3A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 86W
Case: TO252HV
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
товар відсутній