Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTY1R6N100D2
IXTY1R6N100D2

IXTY1R6N100D2 Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+287.35 грн
70+147.19 грн
140+135.54 грн
560+110.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY1R6N100D2 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTY1R6N100D2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTY1R6N100D2 IXTY1R6N100D2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_1R6N100_Datasheet.PDF MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2 IXTY1R6N100D2 IXYS IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 645nC
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_1R6N100_Datasheet.PDF
IXTY1R6N100D2
Виробник: IXYS
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2 IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf
IXTY1R6N100D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 645nC
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.