Продукція > LITTELFUSE > IXTY1R6N100D2
IXTY1R6N100D2

IXTY1R6N100D2 Littelfuse

sfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
83+172.58 грн
140+158.47 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 83 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY1R6N100D2 Littelfuse

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 1.6A, Power dissipation: 100W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 10Ω, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Kind of channel: depletion, Reverse recovery time: 11ns, Gate charge: 645nC.

Інші пропозиції IXTY1R6N100D2 за ціною від 132.42 грн до 407.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTY1R6N100D2 IXTY1R6N100D2 Littelfuse sfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+242.84 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2 IXTY1R6N100D2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_1R6N100_Datasheet.PDF MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
на замовлення 3414 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+375.19 грн
10+212.30 грн
70+154.60 грн
560+140.25 грн
5040+132.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2 IXTY1R6N100D2 IXYS IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 645nC
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+407.06 грн
6+181.14 грн
15+171.21 грн
350+167.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2 sfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf
IXTY1R6N100D2
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
350+242.84 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_1R6N100_Datasheet.PDF
IXTY1R6N100D2
Виробник: IXYS
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
на замовлення 3414 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+375.19 грн
10+212.30 грн
70+154.60 грн
560+140.25 грн
5040+132.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2 IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf
IXTY1R6N100D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 645nC
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+407.06 грн
6+181.14 грн
15+171.21 грн
350+167.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.