Продукція > LITTELFUSE > IXTY1R6N100D2
IXTY1R6N100D2

IXTY1R6N100D2 Littelfuse

sfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
83+147.57 грн
140+135.50 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY1R6N100D2 Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTY1R6N100D2 за ціною від 114.48 грн до 314.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTY1R6N100D2 IXTY1R6N100D2 Виробник : Littelfuse sfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
350+192.81 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2 IXTY1R6N100D2 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.83 грн
70+152.56 грн
140+140.48 грн
560+114.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2 IXTY1R6N100D2 Виробник : IXYS media-3322551.pdf MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
на замовлення 14877 шт:
термін постачання 434-443 дні (днів)
Кількість Ціна
2+314.27 грн
70+183.99 грн
280+155.52 грн
560+152.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2 IXTY1R6N100D2 Виробник : Littelfuse sfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf IXTY1R6N100D2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2 IXTY1R6N100D2 Виробник : Littelfuse sfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.