| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 83+ | 170.68 грн |
| 140+ | 156.72 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
83 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY1R6N100D2 Littelfuse
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 1.6A, Power dissipation: 100W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 10Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 645nC, Kind of package: tube, Kind of channel: depletion, Reverse recovery time: 11ns.
Інші пропозиції IXTY1R6N100D2 за ціною від 168.46 грн до 366.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTY1R6N100D2 | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTY1R6N100D2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1.6A Power dissipation: 100W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 645nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 11ns |
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IXTY1R6N100D2 |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 350+ | 240.16 грн |
| IXTY1R6N100D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 645nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 645nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 366.47 грн |
| 10+ | 239.56 грн |
| 25+ | 201.47 грн |
| 30+ | 194.70 грн |
| 70+ | 168.46 грн |




