на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 83+ | 147.57 грн |
| 140+ | 135.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY1R6N100D2 Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTY1R6N100D2 за ціною від 113.18 грн до 310.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTY1R6N100D2 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTY1R6N100D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns Mounting: SMD Drain current: 1.6A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 645nC Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Case: TO252 Reverse recovery time: 11ns Drain-source voltage: 1kV |
на замовлення 325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTY1R6N100D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns Mounting: SMD Drain current: 1.6A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 645nC Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Case: TO252 Reverse recovery time: 11ns Drain-source voltage: 1kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 325 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTY1R6N100D2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V |
на замовлення 3405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTY1R6N100D2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A |
на замовлення 14877 шт: термін постачання 434-443 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTY1R6N100D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXTY1R6N100D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |