Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTY1R6N50D2-TRL
IXTY1R6N50D2-TRL

IXTY1R6N50D2-TRL Littelfuse Inc.

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.59 грн
10+228.61 грн
100+162.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY1R6N50D2-TRL Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTY1R6N50D2-TRL за ціною від 133.53 грн до 360.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTY1R6N50D2-TRL IXTY1R6N50D2-TRL Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_1R6N50_Datasheet.PDF MOSFET Modules TO252 500V 1.6A N-CH DEPL
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+360.48 грн
10+235.69 грн
100+145.17 грн
500+136.63 грн
1000+133.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2-TRL IXTY1R6N50D2-TRL Виробник : Littelfuse te-mosfets-n-channel-depletion-mode-ixt-1r6n50-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2-TRL IXTY1R6N50D2-TRL Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.