IXTY1R6N50D2-TRL Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 331.62 грн |
| 10+ | 211.42 грн |
| 100+ | 149.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY1R6N50D2-TRL Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTY1R6N50D2-TRL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY1R6N50D2-TRL | IXYS |
MOSFET Modules TO252 500V 1.6A N-CH DEPL |
на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTY1R6N50D2-TRL |
|
Виробник: IXYS
MOSFET Modules TO252 500V 1.6A N-CH DEPL
MOSFET Modules TO252 500V 1.6A N-CH DEPL
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)