Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTY1R6N50D2
IXTY1R6N50D2

IXTY1R6N50D2 Littelfuse Inc.

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+270.42 грн
70+143.28 грн
140+132.37 грн
560+110.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY1R6N50D2 Littelfuse Inc.

Description: LITTELFUSE - IXTY1R6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 1.6 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXTY1R6N50D2 за ціною від 152.63 грн до 430.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTY1R6N50D2 IXTY1R6N50D2 IXYS IXTA(P,Y)1R6N50D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 100W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+294.43 грн
10+223.92 грн
25+185.34 грн
30+177.79 грн
50+158.50 грн
70+152.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2 IXTY1R6N50D2 Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+430.34 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2 IXTY1R6N50D2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_1R6N50_Datasheet.PDF MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2 IXTY1R6N50D2 LITTELFUSE LFSI-S-A0007909298-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTY1R6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 1.6 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2 IXTA(P,Y)1R6N50D2.pdf
IXTY1R6N50D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 100W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+294.43 грн
10+223.92 грн
25+185.34 грн
30+177.79 грн
50+158.50 грн
70+152.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2 media.pdf
IXTY1R6N50D2
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+430.34 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_1R6N50_Datasheet.PDF
IXTY1R6N50D2
Виробник: IXYS
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2 LFSI-S-A0007909298-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTY1R6N50D2
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTY1R6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 1.6 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.