Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTY1R6N50D2
IXTY1R6N50D2

IXTY1R6N50D2 Littelfuse Inc.

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+267.94 грн
70+141.97 грн
140+131.15 грн
560+109.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY1R6N50D2 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTY1R6N50D2 за ціною від 127.71 грн до 280.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTY1R6N50D2 IXTY1R6N50D2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_1R6N50_Datasheet.PDF MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.64 грн
10+268.34 грн
70+133.24 грн
560+127.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2 IXTY1R6N50D2 IXYS IXTA(P,Y)1R6N50D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 100W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 400ns
On-state resistance: 2.3Ω
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+280.10 грн
10+199.43 грн
25+167.02 грн
30+160.38 грн
50+151.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_1R6N50_Datasheet.PDF
IXTY1R6N50D2
Виробник: IXYS
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+274.64 грн
10+268.34 грн
70+133.24 грн
560+127.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2 IXTA(P,Y)1R6N50D2.pdf
IXTY1R6N50D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 100W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 400ns
On-state resistance: 2.3Ω
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+280.10 грн
10+199.43 грн
25+167.02 грн
30+160.38 грн
50+151.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.