IXTY1R6N50D2 IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 100W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 254.19 грн |
| 6+ | 153.27 грн |
| 17+ | 144.84 грн |
| 50+ | 140.24 грн |
| 70+ | 139.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY1R6N50D2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTY1R6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 1.6 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTY1R6N50D2 за ціною від 112.63 грн до 371.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY1R6N50D2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTY1R6N50D2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTY1R6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 1.6 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTY1R6N50D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 100W; TO252; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.6A Power dissipation: 100W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 23.7nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 400ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 348 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTY1R6N50D2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTY1R6N50D2 | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTY1R6N50D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |