IXTY1R6N50D2 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 270.61 грн |
| 70+ | 143.39 грн |
| 140+ | 132.46 грн |
| 560+ | 111.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY1R6N50D2 Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXTY1R6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 1.6 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTY1R6N50D2 за ціною від 128.99 грн до 392.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY1R6N50D2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTY1R6N50D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 100W; TO252; 400ns Power dissipation: 100W Kind of package: tube Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 400ns Gate charge: 23.7nC On-state resistance: 2.3Ω Drain current: 1.6A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V Kind of channel: depletion Case: TO252 |
на замовлення 331 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTY1R6N50D2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTY1R6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 1.6 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTY1R6N50D2 | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTY1R6N50D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |