Продукція > IXYS > IXTY26P10T
IXTY26P10T

IXTY26P10T IXYS

media-3323709.pdf
Виробник: IXYS
MOSFETs TrenchP Power MOSFET
на замовлення 10233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+358.40 грн
10+338.99 грн
25+263.02 грн
70+150.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY26P10T IXYS

Description: MOSFET P-CH 100V 26A TO252, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±15V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXTY26P10T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTY26P10T IXTY26P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p10t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 26A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY26P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p10t_datasheet.pdf.pdf
IXTY26P10T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 26A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.