Продукція > IXYS > IXTY26P10T
IXTY26P10T

IXTY26P10T IXYS

IXT_26P10T.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+225.04 грн
5+ 188.21 грн
6+ 142.54 грн
16+ 134.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY26P10T IXYS

Description: MOSFET P-CH 100V 26A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTY26P10T за ціною від 160.75 грн до 293.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTY26P10T IXTY26P10T Виробник : IXYS IXT_26P10T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+270.05 грн
5+ 234.53 грн
6+ 171.05 грн
16+ 161.91 грн
IXTY26P10T IXTY26P10T Виробник : IXYS media-3323709.pdf MOSFET TrenchP Power MOSFET
на замовлення 13135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+293.71 грн
10+ 242.92 грн
70+ 171.38 грн
560+ 160.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY26P10T IXTY26P10T Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
IXTY26P10T IXTY26P10T Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p10t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 26A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товар відсутній