на замовлення 10233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 372.50 грн |
| 10+ | 340.11 грн |
| 25+ | 243.51 грн |
| 70+ | 160.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY26P10T IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 26A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTY26P10T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY26P10T | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET P-CH 100V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTY26P10T | Виробник : IXYS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO252 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -26A Power dissipation: 150W Case: TO252 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 70ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTY26P10T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 100V 26A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXTY26P10T | Виробник : IXYS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO252 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -26A Power dissipation: 150W Case: TO252 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 70ns |
товару немає в наявності |