Продукція > IXYS > IXTY26P10T
IXTY26P10T

IXTY26P10T IXYS

IXT_26P10T.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.25 грн
6+159.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY26P10T IXYS

Description: MOSFET P-CH 100V 26A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTY26P10T за ціною від 157.41 грн до 345.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTY26P10T IXTY26P10T Виробник : IXYS IXT_26P10T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.90 грн
6+198.63 грн
16+180.29 грн
140+178.46 грн
560+173.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY26P10T IXTY26P10T Виробник : IXYS media-3323709.pdf MOSFETs TrenchP Power MOSFET
на замовлення 12986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+345.93 грн
70+212.17 грн
280+174.25 грн
560+164.00 грн
1050+157.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY26P10T IXTY26P10T Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY26P10T IXTY26P10T Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p10t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 26A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.