Продукція > IXYS > IXTY2N100P-TRL
IXTY2N100P-TRL

IXTY2N100P-TRL IXYS

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_2N100P_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFET Modules IXTY2N100P TRL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 255-264 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY2N100P-TRL IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 2A; 86W; DPAK,TO252AA; 800ns, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: 20V, Case: DPAK; TO252AA, On-state resistance: 7.5Ω, Reverse recovery time: 800ns, Power dissipation: 86W, Gate charge: 24.3nC, Drain current: 2A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1kV.

Інші пропозиції IXTY2N100P-TRL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTY2N100P-TRL IXTY2N100P-TRL IXYS Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 2A; 86W; DPAK,TO252AA; 800ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 7.5Ω
Reverse recovery time: 800ns
Power dissipation: 86W
Gate charge: 24.3nC
Drain current: 2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N100P-TRL
IXTY2N100P-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 2A; 86W; DPAK,TO252AA; 800ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 7.5Ω
Reverse recovery time: 800ns
Power dissipation: 86W
Gate charge: 24.3nC
Drain current: 2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.