Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTY2N100P
IXTY2N100P

IXTY2N100P Littelfuse Inc.

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-2n100p-datasheet?assetguid=0764c9e3-39bd-48c9-b399-6b07cfcab121 Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 25 V
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.08 грн
70+127.91 грн
140+124.43 грн
560+106.96 грн
1050+100.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY2N100P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 86W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTY2N100P за ціною від 111.62 грн до 417.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTY2N100P IXTY2N100P Виробник : IXYS media-3319114.pdf MOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.78 грн
10+249.03 грн
25+200.17 грн
70+123.53 грн
560+113.85 грн
1050+111.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N100P IXTY2N100P Виробник : IXYS IXTA(P,Y)2N100P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO252; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+317.55 грн
7+164.21 грн
19+149.76 грн
70+146.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N100P IXTY2N100P Виробник : IXYS IXTA(P,Y)2N100P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO252; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+417.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N100P IXTY2N100P Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_standard_ixt_2n100p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.