Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTY2N100P
IXTY2N100P

IXTY2N100P Littelfuse Inc.

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-2n100p-datasheet?assetguid=0764c9e3-39bd-48c9-b399-6b07cfcab121 Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 25 V
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.56 грн
70+130.96 грн
140+127.39 грн
560+109.51 грн
1050+102.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY2N100P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 86W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTY2N100P за ціною від 147.61 грн до 427.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTY2N100P IXTY2N100P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA1618BD17820&compId=IXTA(P%2CY)2N100P.pdf?ci_sign=ed9b99ae18ad9cc7de5cc0535e18145ae9cd8895 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO252; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+307.67 грн
7+168.12 грн
10+160.94 грн
19+153.32 грн
25+152.37 грн
70+147.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N100P IXTY2N100P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA1618BD17820&compId=IXTA(P%2CY)2N100P.pdf?ci_sign=ed9b99ae18ad9cc7de5cc0535e18145ae9cd8895 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO252; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+427.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N100P IXTY2N100P Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_standard_ixt_2n100p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N100P IXTY2N100P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_2N100P_Datasheet.PDF MOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.