IXTY2N100P Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 25 V
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 289.88 грн |
| 70+ | 136.28 грн |
| 140+ | 132.57 грн |
| 560+ | 113.96 грн |
| 1050+ | 106.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY2N100P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 86W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTY2N100P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY2N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTY2N100P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds |
товару немає в наявності |