Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTY2N65X2
IXTY2N65X2

IXTY2N65X2 Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_2n65x2_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 2A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.45 грн
70+106.12 грн
140+95.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY2N65X2 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 650V 2A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTY2N65X2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTY2N65X2 IXTY2N65X2 Виробник : IXYS media-3319192.pdf MOSFETs TO252 650V 2A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.