IXTY2P50PA

IXTY2P50PA Littelfuse


media-3322545.pdf Виробник: Littelfuse
MOSFET Discrete MOSFET -2A -500V PolarP TO-252
на замовлення 780 шт:

термін постачання 385-394 дні (днів)
Кількість Ціна
2+341.46 грн
10+283.01 грн
25+232.12 грн
70+156.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY2P50PA Littelfuse

Description: AUTOMOTIVE GRADE POLARPTM P-CHAN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 58W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-252, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IXTY2P50PA за ціною від 145.17 грн до 375.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTY2P50PA IXTY2P50PA Виробник : IXYS Power_Semiconductor_Discrete_MOSFET_IXTY2P50PA_Datasheet.pdf MOSFETs Discrete MOSFET -2A -500V PolarP TO-252
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+375.87 грн
10+282.12 грн
70+146.73 грн
560+145.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2P50PA IXTY2P50PA Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2P50PA Виробник : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=b70aee1e-47d9-44bf-9501-675ee6ddec21&filename=power_semiconductor_discrete_mosfet_ixty2p50pa_datasheet.pdf Description: AUTOMOTIVE GRADE POLARPTM P-CHAN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2P50PA Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9B97E6B85EF4C0D6&compId=IXTY2P50PA.pdf?ci_sign=bd00d8d990ebc0245900d412c7fbf52ca1c13176 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -2A; Idm: -6A; 58W
Mounting: SMD
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -2A
Gate charge: 11.9nC
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 58W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.