Продукція > IXYS > IXTY2P50PA
IXTY2P50PA

IXTY2P50PA IXYS

media-3322545.pdf Виробник: IXYS
MOSFET Discrete MOSFET -2A -500V PolarP TO-252
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+292.86 грн
10+ 242.61 грн
25+ 198.95 грн
70+ 170.91 грн
280+ 160.89 грн
560+ 151.55 грн
1050+ 129.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY2P50PA IXYS

Description: AUTOMOTIVE GRADE POLARPTM P-CHAN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 58W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-252, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IXTY2P50PA за ціною від 134.86 грн до 293.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTY2P50PA IXTY2P50PA Виробник : Littelfuse media-3322545.pdf MOSFET Discrete MOSFET -2A -500V PolarP TO-252
на замовлення 780 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+293.64 грн
10+ 243.38 грн
25+ 199.62 грн
70+ 134.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY2P50PA Виробник : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=b70aee1e-47d9-44bf-9501-675ee6ddec21&filename=power_semiconductor_discrete_mosfet_ixty2p50pa_datasheet.pdf IXTY2P50PA SMD P channel transistors
товар відсутній
IXTY2P50PA Виробник : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=b70aee1e-47d9-44bf-9501-675ee6ddec21&filename=power_semiconductor_discrete_mosfet_ixty2p50pa_datasheet.pdf Description: AUTOMOTIVE GRADE POLARPTM P-CHAN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній