
IXTY3N50P IXYS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 70W
Gate charge: 9.3nC
Technology: Polar™
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 25.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY3N50P IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO252; 400ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 3A, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2Ω, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Power dissipation: 70W, Gate charge: 9.3nC, Technology: Polar™, Reverse recovery time: 400ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTY3N50P за ціною від 30.70 грн до 30.70 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTY3N50P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO252; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3A Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 70W Gate charge: 9.3nC Technology: Polar™ Reverse recovery time: 400ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 104 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||
![]() |
IXTY3N50P | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
IXTY3N50P | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |