Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY44N10T-TRL IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; 100V; 44A; 130W; DPAK,TO252AA; 60ns, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Trench, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 44A, Power dissipation: 130W, Case: DPAK; TO252AA, Gate-source voltage: 30V, On-state resistance: 30mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 33nC, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 60ns, Application: automotive industry.
Інші пропозиції IXTY44N10T-TRL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXTY44N10T-TRL | IXYS |
MOSFET Modules IXTY44N10T TRL |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
|
IXTY44N10T-TRL | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Trench; 100V; 44A; 130W; DPAK,TO252AA; 60ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Drain-source voltage: 100V Drain current: 44A Power dissipation: 130W Case: DPAK; TO252AA Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 60ns Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXTY44N10T-TRL |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFET Modules IXTY44N10T TRL
MOSFET Modules IXTY44N10T TRL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXTY44N10T-TRL |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; 100V; 44A; 130W; DPAK,TO252AA; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 60ns
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; 100V; 44A; 130W; DPAK,TO252AA; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 60ns
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.





