IXTY44N10T Littelfuse Inc.


media?resourcetype=datasheets&itemid=6F632209-E987-45D8-BD19-71A9B1E1ECDC&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-44N10T-Datasheet.PDF
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 25 V
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+203.48 грн
70+101.23 грн
140+92.67 грн
560+74.35 грн
1050+70.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY44N10T Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTY44N10T за ціною від 86.29 грн до 231.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTY44N10T IXTY44N10T IXYS IXTP(Y)44N10T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+209.40 грн
10+167.86 грн
25+136.28 грн
50+104.70 грн
70+94.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY44N10T IXTY44N10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_44N10T_Datasheet.PDF MOSFETs 44 Amps 100V 25.0 Rds
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.95 грн
10+115.11 грн
70+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY44N10T IXTP(Y)44N10T.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+209.40 грн
10+167.86 грн
25+136.28 грн
50+104.70 грн
70+94.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY44N10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_44N10T_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFETs 44 Amps 100V 25.0 Rds
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+231.95 грн
10+115.11 грн
70+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.