Продукція > IXYS > IXTY44N10T
IXTY44N10T

IXTY44N10T IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D51AD1A84D5820&compId=IXTP(Y)44N10T.pdf?ci_sign=241a5f60ac60b85bce90b3648c8e3960e337142a Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 130W
Case: TO252
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 60ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 325 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.66 грн
10+96.56 грн
26+91.19 грн
70+87.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY44N10T IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTY44N10T за ціною від 71.90 грн до 220.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTY44N10T IXTY44N10T Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D51AD1A84D5820&compId=IXTP(Y)44N10T.pdf?ci_sign=241a5f60ac60b85bce90b3648c8e3960e337142a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 130W
Case: TO252
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 60ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.99 грн
10+120.33 грн
26+109.43 грн
70+104.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY44N10T IXTY44N10T Виробник : Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=6F632209-E987-45D8-BD19-71A9B1E1ECDC&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-44N10T-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 25 V
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.50 грн
70+103.73 грн
140+94.96 грн
560+76.19 грн
1050+71.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY44N10T IXTY44N10T Виробник : IXYS media-3321099.pdf MOSFETs 44 Amps 100V 25.0 Rds
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.58 грн
10+114.21 грн
70+89.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY44N10T IXTY44N10T Виробник : Littelfuse e_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_44n10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 44A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.