IXTY44N10T Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 203.48 грн |
| 70+ | 101.23 грн |
| 140+ | 92.67 грн |
| 560+ | 74.35 грн |
| 1050+ | 70.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY44N10T Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTY44N10T за ціною від 86.29 грн до 231.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTY44N10T | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns Case: TO252 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 44A Reverse recovery time: 60ns On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 130W |
на замовлення 425 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTY44N10T | IXYS |
MOSFETs 44 Amps 100V 25.0 Rds |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IXTY44N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 209.40 грн |
| 10+ | 167.86 грн |
| 25+ | 136.28 грн |
| 50+ | 104.70 грн |
| 70+ | 94.73 грн |
| IXTY44N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 44 Amps 100V 25.0 Rds
MOSFETs 44 Amps 100V 25.0 Rds
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 231.95 грн |
| 10+ | 115.11 грн |
| 70+ | 86.29 грн |




