на замовлення 20225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 233.83 грн |
| 10+ | 211.21 грн |
| 25+ | 177.56 грн |
| 70+ | 164.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY48P05T IXYS
Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTY48P05T за ціною від 171.12 грн до 357.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY48P05T | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO252Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXTY48P05T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 50V 48A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IXTY48P05T | Виробник : IXYS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO252 Case: TO252 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -48A Reverse recovery time: 30ns Gate charge: 53nC On-state resistance: 30mΩ Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 150W |
товару немає в наявності |