IXTY48P05T IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO252
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY48P05T IXYS
Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO252, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tube, Vgs (Max): ±15V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V.
Інші пропозиції IXTY48P05T за ціною від 156.12 грн до 402.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTY48P05T | IXYS |
MOSFETs TrenchP Power MOSFET |
на замовлення 10377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IXTY48P05T |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs TrenchP Power MOSFET
MOSFETs TrenchP Power MOSFET
на замовлення 10377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 402.85 грн |
| 10+ | 210.27 грн |
| 70+ | 166.67 грн |
| 560+ | 156.12 грн |


