IXTY4N65X2-TRL Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY4N65X2-TRL Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTY4N65X2-TRL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY4N65X2-TRL | IXYS |
 MOSFETs IXTY4N65X2 TRL |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXTY4N65X2-TRL | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; 650V; 4A; 80W; DPAK,TO252AA; 160ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: DPAK; TO252AA Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 160ns Gate charge: 8.3nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXTY4N65X2-TRL |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs IXTY4N65X2 TRL
MOSFETs IXTY4N65X2 TRL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXTY4N65X2-TRL |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; 650V; 4A; 80W; DPAK,TO252AA; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Gate charge: 8.3nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; 650V; 4A; 80W; DPAK,TO252AA; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Gate charge: 8.3nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.