Продукція > IXYS > IXTY4N65X2
IXTY4N65X2

IXTY4N65X2 IXYS

IXT_4N65X2.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+198.89 грн
10+98.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY4N65X2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTY4N65X2 за ціною від 70.60 грн до 238.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.71 грн
70+111.87 грн
140+101.51 грн
560+83.63 грн
1050+73.41 грн
2030+70.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 Виробник : IXYS media-3322412.pdf MOSFETs TO252 650V 4A N-CH X2CLASS
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.17 грн
10+177.67 грн
70+122.12 грн
280+113.30 грн
560+103.00 грн
1050+88.28 грн
2520+86.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 Виробник : IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.67 грн
10+122.24 грн
26+111.27 грн
560+106.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 Виробник : Littelfuse osfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n65x2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.