Продукція > IXYS > IXTY8N65X2
IXTY8N65X2

IXTY8N65X2 IXYS

IXT_8N65X2.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.37 грн
10+175.38 грн
20+148.78 грн
25+140.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY8N65X2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTY8N65X2 за ціною від 82.56 грн до 293.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 Виробник : IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.79 грн
70+122.04 грн
140+111.02 грн
560+88.18 грн
1050+82.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_8N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.46 грн
10+246.96 грн
70+97.36 грн
560+95.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 Виробник : IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.24 грн
10+218.55 грн
20+178.54 грн
25+168.56 грн
70+134.65 грн
140+124.68 грн
560+120.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 Виробник : Littelfuse osfets_n-channel_ultra_junction_ixt_8n65x2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.