Продукція > IXYS > IXTY8N65X2

IXTY8N65X2 IXYS


IXT_8N65X2.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+166.08 грн
10+119.39 грн
20+101.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTY8N65X2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTY8N65X2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_8N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_8N65X2_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFETs TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.