
IXTY8N70X2 IXYS

Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 283.31 грн |
70+ | 142.34 грн |
140+ | 139.46 грн |
560+ | 111.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY8N70X2 IXYS
Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V.
Інші пропозиції IXTY8N70X2 за ціною від 114.03 грн до 284.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTY8N70X2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTY8N70X2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IXTY8N70X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO252; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO252 On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IXTY8N70X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO252; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO252 On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns |
товару немає в наявності |