Технічний опис IXXA30N65C3HV IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 52A; 230W; D2PAK, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 230W, Case: D2PAK, Mounting: SMD, Gate charge: 37nC, Kind of package: tube, Collector-emitter voltage: 650V, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 52A, Pulsed collector current: 113A.
Інші пропозиції IXXA30N65C3HV
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXXA30N65C3HV | Виробник : IXYS | IGBTs TO263 650V 30A XPT |
товару немає в наявності |
|
| IXXA30N65C3HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 52A; 230W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 230W Case: D2PAK Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 52A Pulsed collector current: 113A |
товару немає в наявності |