Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXA30N65C3HV IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 52A; 230W; D2PAK, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 230W, Case: D2PAK, Mounting: SMD, Gate charge: 37nC, Kind of package: tube, Collector current: 52A, Collector-emitter voltage: 650V, Pulsed collector current: 113A, Gate-emitter voltage: ±20V.
Інші пропозиції IXXA30N65C3HV
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXXA30N65C3HV | IXYS | IGBTs TO263 650V 30A XPT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXXA30N65C3HV | IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 52A; 230W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 230W Case: D2PAK Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: tube Collector current: 52A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 113A Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXXA30N65C3HV |
Виробник: IXYS
IGBTs TO263 650V 30A XPT
IGBTs TO263 650V 30A XPT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXXA30N65C3HV |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 52A; 230W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Collector current: 52A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 113A
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 52A; 230W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Collector current: 52A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 113A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.